[发明专利]一种半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201911294734.4 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112992708A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 赵军;王兆祥 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体器件的制作方法，该半导体器件包括依次形成的元件层、第一绝缘层和介质层，其中，所述介质层包括位于所述第一绝缘层表面的刻蚀阻挡层和第一介电层，且所述介质层中具有第二通孔，该方法包括：在所述刻蚀阻挡层形成之后及所述第二通孔形成之前的预设时间，对半导体器件进行检测，获取半导体器件的检测结果；如果半导体器件的检测结果不满足第一条件，去除介质层；在第一绝缘层表面背离元件层一侧重新生长介质层；直至半导体器件的检测结果满足第一条件，以降低由于半导体器件中介质层的形成存在缺陷而影响所述半导体器件良率的概率，从而提高半导体器件的成品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
