[发明专利]硅化合物和使用硅化合物沉积膜的方法有效

专利信息
申请号: 201911296690.9 申请日: 2019-08-09
公开(公告)号: CN110952074B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 萧满超;R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦;W·R·恩特雷;J·L·A·阿赫蒂尔;雷新建;D·P·思朋斯 申请(专利权)人: 弗萨姆材料美国有限责任公司
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/30;C23C16/50;C23C16/56;C07F7/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吴亦华;徐志明
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种用于制备介电膜的组合物和化学气相沉积方法。包含所述组合物的气体试剂引入到其中提供有衬底的反应室中。该气体试剂包含硅前体,所述硅前体包括根据本文定义的式I的硅化合物。在所述反应室中向所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应且由此在所述衬底上沉积膜。如此沉积的膜适合其预期用途,而无需对如此沉积的膜施加任选的额外固化步骤。还公开了制备所述组合物的方法。
搜索关键词: 化合物 使用 沉积 方法
【主权项】:
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