[发明专利]基片液处理装置在审
| 申请号： | 201911299983.2 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111383958A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 大津孝彦;高山和也;稻田尊士 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基片液处理装置。本发明的一个方面的基片液处理装置包括：处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；基片支承部，其在处理槽内，以多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承多个基片；处理液排出部，其设置在比由基片支承部支承的多个基片靠下方处，通过将处理液排出到处理槽内来生成上升流；和在侧方空间中调节处理液的液流的整流部，其中侧方空间形成在处理槽的第1侧壁与多个基片中具有和第1侧壁相对的主面的第1基片之间。本发明对基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的。 | ||
| 搜索关键词： | 基片液 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
