[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911302205.4 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112992822A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/535;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底，基底包括相邻的第一区与第二区；在基底上形成第一介质层，第一介质层分别位于第一区与第二区上，第一介质层内具有一个或多个第一插塞结构，第一介质层暴露出第一插塞结构的顶部表面；在第一介质层上形成第一导电层，第一导电层位于第二区上；在第一区的第一介质层上、以及第一导电层上形成第二介质层；在第二介质层内形成第二插塞结构，第二插塞结构位于第一区上，第二插塞结构的底部表面与第一插塞结构的顶部表面接触。通过将第一插塞结构与第二插塞结构直接连接，省去了制作字线导电层WL与电源导电层Vss的步骤，在满足电学结构的前提下，能够有效的提高生产效率，同时降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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