[发明专利]溶解臭氧去除单元、包括该溶解臭氧去除单元的基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201911306583.X | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111508865B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 崔文淳 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 张玫 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明构思涉及一种溶解臭氧去除单元，包括该溶解臭氧去除单元的基板处理装置以及一种基板处理方法。溶解臭氧去除单元包括：流体通道提供构件，其具有供处理液通过的流体通道；以及光源构件，其被安装在该流体通道提供构件中并向处理液供应紫外线，并且流体通道提供构件包括螺旋流体通道，该螺旋流体通道被构造为使得处理液在围绕光源构件螺旋移动的同时暴露于紫外线。 | ||
| 搜索关键词： | 溶解 臭氧 去除 单元 包括 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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