[发明专利]粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法在审
| 申请号： | 201911307193.4 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111334212A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大;杉村敏正;福井章洋 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/30 | 分类号： | C09J7/30;C09J7/10;C09J7/24;C09J163/00;C09J133/00;C09J161/06;C09J11/04;H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供适于在为了得到带有粘接薄膜的半导体芯片而使用带有切割带的粘接薄膜进行的扩展工序中产生良好的割断的粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法。对于本发明的粘接薄膜(10)，其损耗角正切在‑20～20℃的范围具有第1峰顶、并且在20～60℃的范围具有第2峰顶。第2峰顶的值优选为2以上。另外，粘接薄膜(10)优选含有软化温度为70℃以上的热固化性树脂，优选含有玻璃化转变温度为‑40～10℃的丙烯酸类树脂。粘接薄膜(10)的厚度例如为40～150μm。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 带有 切割 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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