[发明专利]存储器、导电回路电接触状态评测方法、装置和设备在审

专利信息
申请号: 201911309498.9 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN111090007A 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 高凯;陈洪岗;司文荣;许乐然;关永刚 申请(专利权)人: 国网上海市电力公司;华东电力试验研究院有限公司;清华大学
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;G01R31/50
代理公司: 北京至臻永信知识产权代理有限公司 11568 代理人: 杨海涛;彭晓玲
地址: 200120 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了存储器、导电回路电接触状态评测方法、装置和设备,其中所述方法包括:在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻;对待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验,并在每完成一个阶段升温试验后测量待测GIS回路的回路电阻,以获得不同温度下的回路电阻;根据待测GIS回路在不同温度下的回路电阻生成阻值变化曲线;根据阻值变化曲线的特性生成电接触状态评测结果,能够发现更多的接触状态隐患,从而有效的提高了导电回路电接触状态评测的准确性和有效性。
搜索关键词: 存储器 导电 回路 接触 状态 评测 方法 装置 设备
【主权项】:
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