[发明专利]半导体元件和其裂缝检测方法有效
申请号: | 201911310045.8 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN111952264B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 黄至伟 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/535;H01L21/66 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本申请公开一种半导体元件和其裂缝检测方法。该半导体元件,包括:一第一导电层;一第二导电层,位于该第一导电层上方;一隔离层,位于该第一导电层和该第二导电层之间;以及一晶体管,耦合到该第一导电层。该第一导电层、该第二导电层、该隔离层以及该晶体管一起形成一裂缝检测结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 裂缝 检测 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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