[发明专利]TFT阵列基板有效
| 申请号： | 201911312480.4 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111129125B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张伟彬 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种TFT阵列基板，包括：柔性衬底、阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、栅极、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、源漏极、平坦化层、阳极、像素定义层以及像素支撑层；其中，所述源漏极包括上层源漏极以及下层源漏极，所述上层源漏极具有镂空结构，所述镂空结构与所述下层源漏极的上表面构成镂空区域，所述第二层间绝缘层填充所述镂空区域。本申请实施例所提供的TFT阵列基板，将源漏极设计成中间镂空的双层结构，使得下层源漏极与有源层的接触界面为半导体‑半导体接触，减小了有源层与源漏极之间的接触电阻，进一步提升了TFT阵列基板的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 | ||
【主权项】：
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