[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201911312859.5 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN110993698B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 陈亮;钱海蛟;高锦成 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 王婷;姜春咸
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置,该薄膜晶体管包括:衬底基波以及设置在衬底基板上的有源层、源极、漏极和导电缓冲层;其中,所述源极和漏极均与所述有源层间隔设置;所述导电缓冲层包括完全覆盖所述源极的第一子缓冲层和完全覆盖所述漏极的第二子缓冲层,且所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区接触。与现有技术相比,本发明的技术方案通过改变源极、漏极和有源层之间的位置关系,仅使用一层导电缓冲层连通源极、漏极和有源层,并且该导电缓冲层还完全覆盖源极和漏极,既节省了缓冲层,又避免了源极与漏极被氧化的风险,提高了TFT的特性。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置
【主权项】:
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