[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201911312859.5 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110993698B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;钱海蛟;高锦成 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 王婷;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：衬底基波以及设置在衬底基板上的有源层、源极、漏极和导电缓冲层；其中，所述源极和漏极均与所述有源层间隔设置；所述导电缓冲层包括完全覆盖所述源极的第一子缓冲层和完全覆盖所述漏极的第二子缓冲层，且所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区接触。与现有技术相比，本发明的技术方案通过改变源极、漏极和有源层之间的位置关系，仅使用一层导电缓冲层连通源极、漏极和有源层，并且该导电缓冲层还完全覆盖源极和漏极，既节省了缓冲层，又避免了源极与漏极被氧化的风险，提高了TFT的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911312859.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
