[发明专利]双外延层的制造方法有效
| 申请号： | 201911314068.6 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111106067B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 刘厥扬;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双外延层的制造方法，包括步骤：提供形成有鳍体的硅衬底上形成包括氮化硅的第一硬质掩膜层；光刻定义出第一含硅外延层的形成区域，对第一硬质掩膜层进行刻蚀将第一含硅外延层的形成区域的鳍体顶部表面打开；进行外延生长形成第一含硅外延层，在外延生长过程中，第一硬质掩膜层的氮化硅会产生硅悬挂键；去除第一硬质掩膜层；形成包括氮化硅的第二硬质掩膜层；将第二含硅外延层的形成区域的鳍体的顶部表面的第二硬质掩膜层去除；进行外延生长形成第二含硅外延层；去除第二硬质掩膜层。本发明能防止第一含硅外延层外延生长在第一硬质掩膜层的氮化硅中产生的硅悬挂键在第二含硅外延层的外延生长中产生缺陷，从而能提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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