[发明专利]半导体装置与其制造方法在审
| 申请号： | 201911316092.3 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN112750939A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 邱楹翔;陈旷举;萧鹏展;刘汉英 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 周晓飞;许曼 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置与其制造方法，其中，所述半导体装置包括一基板，基板具有一腔室。半导体装置也包括一第一介电层，第一介电层设置于基板上。半导体装置更包括一对热电耦，此对热电耦设置于第一介电层上。半导体装置包括一第二介电层，第二介电层设置于第一介电层上与热电耦之间。半导体装置也包括一接收体，接收体连接于热电耦。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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