[发明专利]一种晶圆刻蚀设备在审
| 申请号： | 201911322531.1 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111063638A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 谢永宁 | 申请（专利权）人： | 泉州圆创机械技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆刻蚀设备，其结构包括顶喷、排液管、蚀刻装置、外固定框架、转盘、电机、底座、顶升油缸，本发明具有的效果：蚀刻装置主要由晶圆固定机构和蚀刻引流机构以及蚀刻回液机构组成，通过泵机形成的输送压力，将液箱内部的蚀刻液传输至顶喷，通过顶喷将蚀刻液以喷淋的方式垂直向下输出，使蚀刻液在泵机作用下，在蚀刻框和液箱之间循环，通过晶圆固定机构和蚀刻引流机构以及蚀刻回液机构形成的晶圆蚀刻结构，能够在蚀刻中使晶圆旋转，并且晶圆外圈会产生一定的外甩引力，使蚀刻液快速充分从晶圆的蚀刻面经过，减少蚀刻液在晶圆中停留的时间，大大提高晶圆的蚀刻效果，使晶圆蚀刻的线路精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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