[发明专利]LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件有效
| 申请号： | 201911324379.0 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111180339B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文;陈华伦;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件，涉及半导体制造技术领域。该方法包括提供一衬底，在衬底上制作体区和漂移区；在体区内制作体接触区和源区，在漂移区内制作漏区；体接触区和源区之间有浅沟槽隔离；在衬底表面制作栅极；沉积层间介质层；在层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列；接触孔与体接触区、源区、漏区、栅极分别连接，矩形槽阵列位于漂移区的上方；其中，矩形槽阵列包括若干个矩形槽，矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度，矩形槽的开口宽度逐渐减小；解决了传统的LDMOS器件的击穿电压受到器件尺寸的限制的问题；达到了提高LDMOS器件的击穿电压和可靠性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911324379.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
