[发明专利]一种LYSO晶片的制造保护方法在审
| 申请号： | 201911326459.X | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111113703A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 武志龙;汪新伟;丁言国;叶崇志 | 申请（专利权）人： | 上海新漫晶体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D7/04;B24B1/00;B24B37/08;B24B29/02;B24B41/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LYSO晶片的制造保护方法，包括晶片第1面和第2面粘接固定；晶片第1面和第2面研磨抛光；晶片群第3面和第4面研磨抛光；晶体群二型保护片固定；小晶体群切割；晶片群第3面3和第4面4研磨抛光；小晶体群的第5面和第6面进行研磨抛光；保护片脱离等步骤，最终的小晶体群的尺寸为18.1×2.76×2.76mm；并将一型保护片和二型保护片拆除；最终的LYSO晶片；本发明采用了LYSO晶片的制造方法，尤其在小截面的LYSO晶片的制造方面，减少了发生崩边等问题，提升了晶片的质量，降低了加工成本使得LYSO晶片在上述的研磨时晶片可以得到有效保护，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 lyso 晶片 制造 保护 方法 | ||
【主权项】：
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