[发明专利]用于改进的热传递和温度均匀性的加热的基座设计在审
申请号: | 201911327919.0 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111463146A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | V·S·C·帕里米;Z·黄;J·李;S·拉达克里什南;程睿;D·N·凯德拉亚;J·C·罗查;U·M·科尔卡;K·杰纳基拉曼;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔;B·S·权 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座,所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体,所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面,所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域,所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱,所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱,其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 改进 传递 温度 均匀 加热 基座 设计 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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