[发明专利]一种带有终端结构的超结MOSFET结构及制备方法在审
| 申请号： | 201911330747.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111146271A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 王华;刘学明;赵昕;张文敏;王昊 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 茹阿昌 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种带有终端结构的超结MOSFET结构及制备方法，N+型衬底上表面附着有N型外延层；N型外延层的部分区域加工有多个阵列的P柱；两相邻P柱之间作为N柱；在P柱和N柱的上表面通过浅离子注入一层阱；阱的上表面刻蚀部分区域，在刻蚀区域通过离子注入获得源区；N型外延层上终端区和超结区之间浅离子注入一层P‑区；N型外延层上表面依次淀积二氧化硅层、多晶硅层作为MOSFET结构的栅极；钝化层光刻开孔、淀积获得源极和场限环；N+型衬底的下表面附着有Al/Si/Cu合金作为漏极。本发明采用深槽截止的方式进行终端结构的制备，槽内填充高阻硅，防止拐角击穿，提高器件的耐压能力。采用金属场限环降低PN结处的电场峰值，使得终端表面电场平坦化，有效解决了器件终端区的尖端放电效应，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 终端 结构 mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
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