[发明专利]一种光罩及图像校准方法有效
申请号: | 201911330770.1 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111077728B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 熊易斯 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F1/72 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 党蕾 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种光罩及图像校准方法,属于半导体技术领域,光罩包括:非曝光区内设置有一标记图案,标记图案包括亮场图案和暗场图案,亮场图案和暗场图案分别包括多个具有不同关键尺寸的标准图形,且标准图形中的最小关键尺寸小于曝光区中图形的最小关键尺寸;方法包括:光罩缺陷检查台通过扫描标记图案进行图像校准;上述技术方案有益效果是:保证图像校准的准确性和精确性的同时缩短了缺陷扫描程式的建立时间,提高了光罩缺陷检查台的工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像 校准 方法 | ||
【主权项】:
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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