[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管器件有效
| 申请号： | 201911334570.3 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112397583B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈智伟;温文莹 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种增强型高电子迁移率晶体管器件，包括设置于基板上的沟道层、阻挡层、P型氮化镓层、保护层、栅极以及源极与漏极。阻挡层设置于沟道层上，P型氮化镓层设置于阻挡层上，保护层设置于P型氮化镓层上。栅极设置于保护层中，栅极的上表面从保护层的上表面凸出。源极与漏极分别位于栅极的两侧，且设置于沟道层、阻挡层、P型氮化镓层及保护层中，源极与漏极的上表面从保护层的上表面凸出。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 电子 迁移率 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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