[发明专利]一种高密度细晶粒易成型的W靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201911336274.7 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN110983264B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 贾倩;丁照崇;李勇军;庞欣;曲鹏;祁钰;曹晓萌;滕海涛 | 申请（专利权）人： | 有研亿金新材料（山东）有限公司;有研亿金新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;B22F3/04;B22F3/15 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 253076 山东省德州市经济技术开发区袁桥*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种高密度细晶粒易成型的W靶材的制备方法。所述W靶材，采用冷压的方式进行预成型，获得预成型W靶坯，预成型W靶坯的相对密度为60％～70％；然后将预成型的W靶坯进行热等静压烧结致密化，获得致密化W靶坯，所述致密化W靶坯的相对密度为93％～96％；最后将其进行无包套二次热等静压烧结致密化，制得的W靶材的致密度99％，平均晶粒尺寸20μm，成品率95％。所述W靶材易成型开裂的概率低，成品率高，工艺简单易操作，二次热等静压烧结致密化，可降低热等静压过程中的烧结温度，获得晶粒细小的钨靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 晶粒 成型 制备 方法 | ||
【主权项】：
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