[发明专利]量子点薄膜配体交换方法和量子点发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201911342748.9 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113088274A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 罗植天;向超宇;朱佩 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜配体交换方法和量子点发光二极管的制备方法。该量子点薄膜配体交换方法，包括如下步骤：提供初始量子点薄膜，所述初始量子点薄膜中的量子点表面结合有第一配体；利用原子层沉积技术，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面，进行配体交换，得到表面结合有第二配体的量子点薄膜。该量子点薄膜配体交换方法不会在量子点薄膜上留有多余的反应物，同时也不会对量子点薄膜下面的其他膜层造成破坏，而且工艺简单，提高了生产效率，在量子点薄膜工艺领域中具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 薄膜 交换 方法 发光二极管 制备 | ||
【主权项】：
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