[发明专利]一种激光切割用激光退火装置有效
| 申请号： | 201911350915.4 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110965128B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 周翔;黄仲佳;周晓宏;罗贤国;张勇;孙文明;赵薇;郑兰斌;吴志华;王心生;杨军;李思文;宗泽;吕晨;艾晓蕾 | 申请（专利权）人： | 安徽省春谷3D打印智能装备产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B33/02 |
| 代理公司： | 成都华复知识产权代理有限公司 51298 | 代理人： | 任丽娜 |
| 地址： | 241200 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种激光切割用激光退火装置，包括工作台，所述工作台内滑动安装有两组激光器反射组件，两组所述激光器反射组件底部分别固定安装有第一底座和第二底座，所述激光器反射组件和第二底座之间的夹角角度为°，所述第一底座和第二底座底部四角均固定安装有行走轮，所述激光器反射组件包括底板，所述底板内转动安装有托盘，所述托盘顶部设置有弧形板，所述弧形板顶部固定安装有反射镜片，所述弧形板和底板之间设置有电动推杆，所述电动推杆的输出轴端和尾端均通过耳板分别铰接于托盘上表面和弧形板下表面一侧，所述底板底部均中位置固定安装有升降电机，所述托盘底部环形等距阵列有滑动组件，提高退火效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 切割 退火 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽省春谷3D打印智能装备产业技术研究院有限公司，未经安徽省春谷3D打印智能装备产业技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911350915.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：售货机
- 下一篇：含苯乙酮取代基的靛红唑醇类化合物及其制备方法和医药应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
