[发明专利]一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备有效
| 申请号： | 201911351012.8 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110993310B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 朱权;赵俊;顾小建 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备，属于磁性材料技术领域，非晶纳米晶磁片制备工艺包括S1、将磁片本体切割形成多个相互隔开的单元分体，且不切断下表面的硅胶粘膜，磁片本体由多层经过退火的非晶纳米晶带材采用双面胶贴合形成，磁片本体的下表面具有硅胶粘膜；S2、对经过切割的磁片本体进行喷胶；S3、对经过喷胶的磁片本体进行裂片处理，使非晶纳米晶产生裂纹，并使磁片本体达到预设磁导率；S4、将磁片本体下表面的硅胶粘膜去除，并在磁片本体上表面和下表面均覆膜，得到非晶纳米晶磁片。对磁片本体进行切割并后续对磁片本体进行破碎，相比于现有技术，加工效率高，且有利于磁片本体的应力释放，避免非晶纳米晶磁片出现鼓包。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 磁片 制备 工艺 设备 | ||
【主权项】：
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