[发明专利]单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911352260.4 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111106801A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法。所述电路包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本发明将砷化镓单片放大电路的输入匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 可重构砷化镓 低噪声放大器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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