[发明专利]一种双口静态随机存储单元版图结构有效

专利信息
申请号: 201911352471.8 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111129005B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 吴栋诚;范茂成 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H10B10/00;G11C5/06
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种双口静态随机存储单元版图结构,包括下拉管版图结构、第一、第二传输管版图结构;下拉管版图结构、第一、第二传输管版图结构中分别包括:有源区图形和横跨在有源区图形上的多晶硅图形;位于有源区图形上且分布在多晶硅图形两侧的接触孔图形;下拉管版图结构的有源区图形与第一传输管版图结构的有源区图形连在一起,且二者共用一端接触孔图形;下拉管版图结构的有源区图形与第二传输管版图结构的有源区图形连在一起,且二者共用一端接触孔图形。本发明优化了传统双口静态随机存储器单元版图结构,改善了光学圆角效应对器件匹配的影响,同等面积下,加强了下拉管的性能,包括读写串扰,增大了读电流。
搜索关键词: 一种 静态 随机 存储 单元 版图 结构
【主权项】:
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