[发明专利]一种低栅漏电容碳化硅DI-MOSFET制备方法在审
| 申请号： | 201911352640.8 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111129155A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘敏 | 申请（专利权）人： | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙) 50214 | 代理人： | 郭桂林 |
| 地址： | 400700 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种低栅漏电容SiC DI‑MOSFET的制备方法来解决栅漏电容大导致的器件工作频率低，动态损耗大的问题，具体步骤包括：选取形成有碳化硅（SiC）外延层的半导体衬底；通过光刻掩膜对其进行区域离子注入，并高温退火激活注入杂质；对未注入掺杂的外延层通过光刻掩膜进行局部Si离子注入；在600℃‑2000℃下热生长氧化层；淀积多晶硅并刻蚀掉不需要的部分形成栅极；淀积介质层将栅极包覆并刻蚀形成源级接触孔；在介质层上方淀积覆盖源区和介质层的源级金属，在衬底下方沉积漏极金属，并退火制备欧姆接触。由于采用上述技术方案，栅氧化层厚度增加，栅漏电容减小、器件的开关速度提升、工作频率提高、器件的开关损耗减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 碳化硅 di mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
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