[发明专利]过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置在审

专利信息
申请号: 201911363133.4 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN113053443A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 陈致豪 申请(专利权)人: 晶豪科技股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 李芳华
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 存储器装置包含多个存储器区块,每个存储器区块包含多行的存储器单元,每一行存储器单元耦接于对应位线。在电力开启序列完成后,检测一组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平,其中该组存储器区块包含多个存储器区块的(i+1)个存储器区块,i为正整数。若该组存储器区块中的多个对应行的漏电流大于预定水平时,对多个对应行执行过抹除校正。
搜索关键词: 校正 方法 使用 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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