[发明专利]一种高纯碳化硅粉料及其制备方法、反应器有效
| 申请号： | 201911370486.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111056554B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王超;靳婉琪;热尼亚;柏文文 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种高纯碳化硅粉料及其制备方法、反应器，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅粉料的制备方法包括下述步骤：1)提供硅原料和石墨板组，所述石墨板组包括至少一个石墨板；2)将所述硅原料和所述石墨板置于坩埚内，所述石墨板组置于所述硅原料上方，所述石墨板与硅原料之间设置间隙；3)将装料后的坩埚置于加热炉内进行高温固相合成，即制得所述高纯碳化硅粉料。该高纯碳化硅粉料的制备方法不需要添加额外辅助剂维持反应的进行；并且该方法在除杂阶段的温度高、压力低制的碳化硅粉的纯度高；该方法制得的碳化硅产品为颗粒状，不需要破碎/研磨后处理，防止了杂质的引入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 碳化硅 料及 制备 方法 反应器 | ||
【主权项】：
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