[发明专利]晶圆及其切割方法在审
| 申请号： | 201911372900.8 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111128879A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 曾斌;王海升;宋海强 | 申请（专利权）人： | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/304;B28D5/04 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 266104 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶圆的切割方法，所述晶圆的切割方法包括以下步骤：对晶圆片的第一表面进行研磨，以将所述晶圆片的厚度减薄至目标厚度，所述晶圆片包括相对设置的第一表面以及第二表面，所述第二表面设有电路，所述第一表面在研磨过程中采用超纯水进行清洗；对减薄后的所述晶圆片的第一表面进行激光隐形切割。本发明还提供一种晶圆。本发明提高了由切割晶圆制成的基板电路的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 切割 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
