[发明专利]一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构有效
| 申请号： | 201911375082.7 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111158040B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李立华;李玮;刘蕴韬;徐鹍;莫玉俊 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G01T1/36 | 分类号： | G01T1/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，包括主晶体和外围晶体；所述外围晶体设置于所述主晶体周围；所述主晶体的光子入射方向的对侧也设置有外围晶体。本发明的有益效果如下：本发明通过改变反康谱仪的布局结构，提高了康普顿抑制因子，从而提升了反康谱仪的效果，使其对单逃逸峰和双逃逸峰的抑制效果也有了明显的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 反康谱仪康普顿 抑制 因子 布局 结构 | ||
【主权项】：
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