[发明专利]封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201911380227.2 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113054938A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 刘孟彬 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H03H3/007 | 分类号: | H03H3/007;H03H3/10;H03H3/02 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种封装结构及其制造方法,制造方法包括:提供器件晶圆,包括多个半导体芯片,半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域;提供多个分立的芯片级覆盖基板,适于与半导体芯片一一对应;在器件晶圆或芯片级覆盖基板上形成粘合层,粘合层中形成有第一开口,适于与有源区域一一对应;利用粘合层使芯片级覆盖基板和器件晶圆相结合,半导体芯片与芯片级覆盖基板在第一开口的位置处围成第一空腔,第一空腔至少露出有源区域的一部分;在芯片级覆盖基板上形成互连结构,电连接输入/输出电极区域的输入/输出电极。与晶圆级覆盖基板相比,通过采用芯片级覆盖基板,能够起到应力释放的作用,从而减小器件晶圆的晶圆翘曲度,进而提高封装结构的良率。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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