[发明专利]光学邻近效应修正方法和系统、掩膜版及其制备方法在审
申请号: | 201911382862.4 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113050367A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 陈术;游林 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 吴凡 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种光学邻近效应修正方法和系统、掩膜版及其制备方法,所述光学邻近效应修正方法包括:获取待修正主图形和所述待修正主图形的重叠图形及重叠边,所述待修正主图形和其他的主图形按照光刻位置重叠的部分为重叠图形,所述重叠图形在所述待修正主图形的外边缘上的边为重叠边;在待修正的所述重叠边的相邻位置设置散射条辅助图形。本发明实施例所提供的光学邻近效应修正方法中,由于所述散射条辅助图形设置于待修正的重叠边的相邻位置,可以在之后的步骤中很好地改善待修正主图形的质量,尤其是待修正的重叠边所对应位置的图形质量,从而提高所得图形中交错的部分的质量,最终可以提高所得半导体器件的合格率。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 效应 修正 方法 系统 掩膜版 及其 制备 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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