[发明专利]一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法有效
| 申请号： | 201911388291.5 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112548817B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘永兴;戴世勋;林常规;亓东锋;沈祥;王训四;付园 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B37/04;B24B37/10;C09G1/02 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 方闻俊;孙盼峰 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，对通用粒径的氧化铈抛光粉按照氧化铈颗粒的粒径做初次和二次晒晒筛选，得到具有较优粒径的氧化铈颗粒，在使其与水混合制成抛光液，利用双面胶保护住单抛硅片的已抛光面，再利用研磨抛光机的原装的抛磨夹持盘与选取的新抛光盘配合，将搅拌均匀的抛光液利用滴管全面地滴至且覆盖新抛光盘的上表面，最终不断调整抛磨夹持盘的转动速度、转动时间以及研磨压强来对单抛硅片的粗糙面做研磨，从而利用抛光液内的氧化铈颗粒去摩擦单抛硅片的粗糙面，降低利用传统抛光砂纸在单抛硅片表面滑动摩擦产生的长条状且深浅不一致类似于山脉的磨砂表面，实现单抛硅片表面光界面比较规整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适于 红外 光谱 测量 硅片 处理 方法 | ||
【主权项】：
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