[发明专利]一种连续读写模式下的单口RAM转伪双口RAM的实现方法在审
| 申请号： | 201911388652.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111124961A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;卢超 | 申请（专利权）人： | 武汉先同科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F5/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街流芳大道*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种连续读写模式下的单口RAM转伪双口RAM的实现方法，所述实现方法由一片FPGA芯片和一片单口RAM实现，所述单口RAM选用IS61WV102416BLL，所述FPGA芯片选用EP4CE15F17C8，所述FPGA芯片内设置有读驱动模块、写驱动模块、仲裁模块、读取FIFO模块和写入FIFO模块，该连续读写模式下的单口RAM转伪双口RAM的实现方法设计合理，利用一片单口RAM，通过FPGA芯片的读取FIFO模块和写入FIFO模块进行读写数据的缓存，并加入仲裁机制进行数据线和地址线的分时复用，实现伪双口RAM的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 读写 模式 单口 ram 转伪双口 实现 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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