[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201911397735.1 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112086463A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 前嶋洋;橋本寿文;前田高志;齋藤真澄;内海哲章 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11556;G11C16/04;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够提升所存储数据的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括存储器芯片，该存储器芯片包含第1区域、第2区域、多条第1字线、第1柱、第1接合金属及第1晶体管。第1区域包含多个存储胞。第2区域(HR)与第1区域不同。多条第1字线(43)在第1区域及第2区域中，在第1方向上相互分离地积层。第1柱在第1区域包含贯通多条第1字线设置的第1半导体层及设置在第1半导体层与多条第1字线之间的第1绝缘体层。第1接合金属(62)设置在第2区域。第1晶体管(TR)在第2区域设置在多条第1字线与第1接合金属之间的第1层(M1)，电连接在1条第1字线与所述第1接合金属之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
