[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201911399687.X | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111509115A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 金在权;许暋赞;金京完;金钟奎;金贤儿;李俊燮 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其包括：第一导电型半导体层；活性层，布置在所述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，布置在所述活性层上；第一凸块焊盘，与所述第一导电型半导体层电接通；第二凸块焊盘，与所述第二导电型半导体层电接通；第一焊锡凸块，布置在所述第一凸块焊盘上；以及第二焊锡凸块，布置在所述第二凸块焊盘上，所述第一焊锡凸块以及所述第二焊锡凸块分别具有所述第一凸块焊盘以及所述第二凸块焊盘的厚度的10倍至80倍范围内的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
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