[发明专利]可调NAND写入性能在审
申请号: | 201911402174.X | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111383689A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | G·卡列洛;M·L·萨利;S·法尔杜蒂;U·鲁索 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及可调NAND写入性能。本文描述了用于可调存储器设备写性能的设备和技术。可以在存储器设备处从存储器设备的控制器接收加速写入请求。所述存储器设备可以识别用于外部写入的目标块作为多级单元块打开。然后,所述存储器设备可以使用单级单元编码将所述加速写入请求的数据写入所述目标块。 | ||
搜索关键词: | 可调 nand 写入 性能 | ||
【主权项】:
暂无信息
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