[发明专利]一种贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 201911406846.4 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128556A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴一萍;罗晶;姚静静;李琪 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;B01J23/66 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 曹莉 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明涉及半导体复合材料技术领域，特别涉及一种贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法。其步骤包括：将平面导电材准备；在非离子型高分子化合物中加入无水乙醇，搅拌，溶液中通氧10‑20分钟；溶液中加入金属氯化物，搅拌溶解；加入贵金属化合物溶液和非离子型表面活性剂，搅拌并缓慢加入碱性溶剂和水，形成溶胶；制备好的溶胶滴平面导电材料上，旋涂，使其表面覆盖；然后300‑600℃煅烧1‑3小时，冷却、水洗、吹干即可。该表现出极好的表面性质，薄膜均匀致密且稳定性良好，便于进行下一步材料的组装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 贵金属 掺杂 半导体 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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