[发明专利]金属有机物化学气相沉积反应器有效
| 申请号： | 201911411224.0 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113122823B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 王文;胡建正;郭泉泳;郭世平 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/30;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 包姝晴;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属有机物化学气相沉积反应器，包括：反应腔，顶部包括气体喷淋头，气体喷淋头包括第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口；前驱物输送管道组，与多种前驱物源连接；前驱物汇合输入管道，与前驱物输送管道组连通，用于汇合多种前驱物，连通第一输入端口；镁前驱物输入管道，与镁前驱物源连接，且连通第二输入端口；氮前驱物输送管道，与氮前驱物源连接，且连通气体喷淋头的第三输入端口。利用所述金属有机物化学气相沉积反应器能够降低反应器的复杂度，且提高发光二极管的发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 有机物 化学 沉积 反应器 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
