[发明专利]太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法有效
| 申请号： | 201911413769.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130339B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 伏进文;费正洪;袁中存;钱海龙;曹琨;周平 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 韩晓园 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法，包括获取太阳能电池片的第一边缘、与所述第一边缘相对设置的第二边缘、位于所述太阳能电池片第一表面的第一电极图案；测量所述第一电极图案靠近所述第一边缘的第一轮廓线距所述第一边缘的第一距离、所述第一电极图案靠近所述第二边缘的第二轮廓线距所述第二边缘的第二距离；计算所述第一电极图案相对所述太阳能电池片的位置偏移量，位置偏移量＝第一距离‑第二距离；若位置偏移量不在第一电极图案偏移量阈值范围内，则所述第一电极图案不合格；能够检测表面电极图案相对太阳能电池片的偏移量，提高叠瓦电池组件效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 表面 电极 图案 偏移 监控 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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