[发明专利]一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201911415943.X | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130282B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 徐朝阳;廉晓芳;江家玮;范光伟;涂乐义 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭化雨 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置，其中等离子体约束结构可以包括接地环和在接地环上设置的约束环，接地环和与约束环之间形成有绝缘层，接地环中形成有多个第一通道，约束环中形成有多个第二通道，第一通道和第二通道连通，第一通道和第二通道不在同一条直线上，在约束环上形成有等离子体时，等离子体可以通过第二通道进入约束环，通过约束环可以对其上的等离子体进行约束，由于第一通道和第二通道不在同一条直线上，第一通道和第二通道作为等离子体通道时，其通道的长度有所增大，等离子体与第一通道和第二通道的侧壁接触的可能性也较高，因此提高了对等离子体的约束能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 约束 结构 及其 制造 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
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