[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911416623.6 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111192924A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 周源;张小麟;李静怡;王超;张志文;朱林迪;袁波;刘恒;梁维佳 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 杨思雨 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；体区，位于衬底的表面上；掺杂区，自体区表面延伸至体区中；栅叠层，位于体区的表面；以及导电通道，包括穿过体区并与衬底接触的沟槽以及填充在所述沟槽内的导电材料，导电通道与掺杂区分隔，其中，掺杂区与导电通道之间形成沟道，衬底与掺杂区通过导电通道和沟道导通。该半导体器件通过在沟槽中填充导电材料形成了导电通道，由于沟槽不再用于制作沟槽栅，降低了对沟槽的刻蚀质量要求，从而降低了刻蚀难度，并通过在体区表面形成的栅叠层代替了沟槽栅，因此使得器件的阈值电压更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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