[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。包括提供包括存储单元源极区和位于存储单元源极区之间的连接区的衬底；获取第零多晶硅层；依次形成介质层和第一多晶硅层，形成带光刻图形的光刻胶，光刻图形露出存储单元源极区和连接区的第一多晶硅层，通过第一次刻蚀去除露出的存储单元源极区和连接区的第一多晶硅层，通过第二次刻蚀完全去除露出的存储单元源极区和连接区的介质层，通过第三次刻蚀去除所述光刻图形露出的存储单元源极区的第零多晶硅层。在第三次刻蚀过程中，通过设定多晶硅和二氧化硅的刻蚀选择比，使得刻蚀后连接区至少保留部分栅氧层，保护衬底免受刻蚀损伤，在保持芯片集成度不变的情况下，提高了器件的良率与可靠性。