[发明专利]磁隧道结中势垒层的制备方法、磁隧道结及其制备方法有效
| 申请号： | 201911425363.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130735B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 宫俊录;孟凡涛;蒋信;刘波 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁隧道结中势垒层的制备方法、磁隧道结及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在参考层或自由层上沉积n次势垒层材料，形成n层势垒层薄膜，在相邻各次沉积势垒层材料的步骤之间，对势垒层材料进行热处理，n为大于2的自然数。上述制备方法中通过各次热处理及下层势垒层薄膜的结构母版的诱导作用，优化了热处理后沉积形成的势垒层薄膜的晶化质量，减少了势垒层薄膜缺陷，提升了势垒层薄膜及其界面的质量，进而不仅降低了磁隧道结的电阻值，还能够保持较高的磁电阻，同时降低了写电压；通过上述沉积前的各次热处理，实验发现，磁隧道结的写电流也得到了降低，电阻及写电压的均一性有所改善，MTJ器件的耐擦写性也得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 结中势垒层 制备 方法 及其 | ||
【主权项】：
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