[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201920009957.0 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN209709013U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张书山;周弘毅;李俊贤;刘英策;李健 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 33244 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李高峰;孟湘明<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一半导体器件，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述半导体器件还包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，所述N型电极在穿过所述钝化保护层后被连接于所述N型半导体层，所述P型电极在穿过所述钝化保护层后被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层。自所述N型电极注入的电流经所述N型半导体层的扩展后流入所述发光层，自所述P型电极注入的电流经所述P型半导体层和所述电流扩展层的扩展后流入所述发光层，电流在所述发光层进行复合后使所述半导体器件产生光线。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化保护层 发光层 半导体器件 透明导电层 穿过 本实用新型 电流扩展层 依次层叠 电连接 衬底 复合 | ||
【主权项】：
1.一半导体器件，其特征在于，包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，其中所述半导体器件进一步包括：/n一N型电极，其包括一N型电极焊盘、至少一N型电极扩展条以及至少一列N型电极连接针，其中所述N型电极焊盘于所述半导体器件的第二端部在穿过所述钝化保护层后延伸至和被电连接于所述N型半导体层，其中所述N型电极扩展条以层叠于所述钝化保护层的方式自所述N型电极焊盘向所述半导体器件的第一端部方向延伸，其中每列所述N型电极连接针分别在穿过所述钝化保护层后自所述N型电极扩展条延伸至和被电连接于所述N型半导体层；和/n一P型电极，其包括一P型电极焊盘、至少一P型电极扩展条以及至少一P型电极连接针，其中所述P型电极焊盘于所述半导体器件的第一端部在穿过所述钝化保护层和所述透明导电层后延伸至和被电连接于所述P型半导体层，其中所述P型电极扩展条以层叠于所述钝化保护层的方式自所述P型电极焊盘向所述半导体器件的第二端部方向延伸，其中每列所述P型电极连接针分别在穿过所述钝化保护层后自所述P型电极扩展条延伸至和被电连接于所述透明导电层。/n
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