[实用新型]利用导电性金属结构体的半导体封装有效
| 申请号： | 201920053964.0 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN209843696U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 崔伦华;崔淳性 | 申请（专利权）人： | JMJ韩国株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 11421 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡凯 |
| 地址： | 韩国的京畿道富*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型涉及利用导电性金属结构体的半导体封装，尤其，涉及一种利用夹具或柱子形态的导电性金属结构体，使得半导体芯片与引线框架引线形成电性连接，并且，有效地改善半导体芯片与金属结构体结合的部分而提高生产性，并提高耐久性和电性连接特性的利用导电性金属结构体的半导体封装。即，本实用新型包括：半导体芯片；铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 导电性金属 结构体 半导体封装 本实用新型 粘接层 焊料 夹具 电性连接特性 金属间化合物 引线框架引线 金属结构体 电性连接 既定区域 生产性 有效地 柱子 | ||
【主权项】：
1.一种利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，包括：/n半导体芯片；/n铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；/n导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，/n并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。/n
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