[实用新型]一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件有效
| 申请号： | 201920172226.8 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN210006735U | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 梁德新;向啟平 | 申请（专利权）人： | 惠州市忠邦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/58;H01L23/64 |
| 代理公司： | 44349 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈文福 |
| 地址： | 516000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，将温度保护装置集成到Mosfet半导体器件内部，实现最高灵敏度的感知Mosfet半导体器件的温度变化，温度保护装置与Mosfet两者之间进行有效隔离，不产生漏电通路。 | ||
| 搜索关键词： | 温度保护装置 半导体器件 本实用新型 漏电通路 有效隔离 灵敏度 感知 | ||
【主权项】：
1.一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，包括框架本体区、载片基岛区、导电基盘、Mosfet芯片和温度保护装置，所述框架本体区和载片基岛区层叠设置，所述导电基盘、Mosfet芯片和温度保护装置均封装在所述载片基岛区内，所述Mosfet芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，其特征在于：/n所述散热区位于Mosfet芯片和温度保护装置正下方，所述散热区与Mosfet芯片下表面之间通过导电焊料层电连接，所述散热区与温度保护装置下表面之间通过导电焊料层电连接，所述Mosfet芯片与温度保护装置之间形成隔离，相互之间绝缘，无电性连接；/n还包括第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述第一导电焊盘、第二导电焊盘位于Mosfet芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，所述焊接区封装在载片基岛区内，所述引脚区从所述载片基岛区内向外延伸形成引脚，所述Mosfet芯片电性连接所述第一导电焊盘的焊接区，所述温度保护装置电性连接所述第二导电焊盘的焊接区。/n
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