[实用新型]一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器有效
| 申请号： | 201920180502.5 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN209401621U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 牛士敏;余欢 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，四片NAND FLASH芯片依次堆叠设置于引线框架上，上端三层NAND FLASH芯片表层设有接NAND FLASH芯片引脚的铜箔电引层，相邻两个NAND FLASH芯片之间通过固态胶膜粘接，四片NAND FLASH芯片四周外侧设有灌封胶层和外部金属镀化层引线，上端三层NAND FLASH芯片上的铜箔电引层与外部金属镀化层引线连通，最下端的NAND FLASH芯片的引脚直接与外部金属镀化层引线连通，引线框架上设有外引线，外引线连通至外部金属镀化层引线，结构上采用三维堆叠结构，将芯片与互连铜箔在高度方向交替堆叠，形成堆叠体，在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了存储器容量的扩充，显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 金属镀 化层 铜箔 连通 外部 三维封装 引线框架 上端 外引线 气密 三层 引脚 芯片 三维堆叠结构 本实用新型 存储器器件 存储器容量 堆叠设置 固态胶膜 灌封胶层 交替堆叠 平面空间 堆叠体 互连 单层 粘接 占用 | ||
【主权项】：
1.一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括引线框架(3)和四片1G×8bit的NAND FLASH芯片(1)，四片NAND FLASH芯片(1)依次堆叠设置于引线框架(3)上，上端三层NAND FLASH芯片表层设有接NAND FLASH芯片引脚的铜箔电引层(2)，相邻两个NAND FLASH芯片之间通过固态胶膜(4)粘接，四片NAND FLASH芯片(1)四周外侧设有灌封胶层(5)，灌封胶层(5)外侧设有外部金属镀化层引线(6)，上端三层NAND FLASH芯片(1)上的铜箔电引层(2)与外部金属镀化层引线(6)连通，最下端的NAND FLASH芯片的引脚直接与外部金属镀化层引线(6)连通，引线框架(3)上设有外引线(7)，外引线(7)连通至外部金属镀化层引线(6)，外部金属镀化层引线(6)外侧设有包覆层；引线框架(3)上设有50个外引线(7)作为输出引脚；由下至上依次堆叠的四层NAND FLASH芯片中上端三层NAND FLASH芯片的数据线通过外部金属镀化层引线和铜箔电引层(2)连通至外引线(7)，最下端一层NAND FLASH芯片的数据线直接通过芯片引脚与外部金属镀化层引线连通至外引线(7)，形成模块的I/00‑I/O7数据线，四层NAND FLASH芯片的数据线最后通过外引线(7)汇集，通过四片NAND FLASH芯片的数据线连通；四片NAND FLASH芯片的片选线分别单独引出；四片NAND FLASH芯片的读使能线分别单独引出；四片NAND FLASH芯片的状态输出线分别单独引出；四片NAND FLASH芯片的电源线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的地线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的指令锁存线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的写使能线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的地址锁存线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的写保护线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安微电子技术研究所，未经西安微电子技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920180502.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
