[实用新型]一种多路并联MOS管的驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种多路并联MOS管的驱动电路，包括推挽电路、多路栅极电阻和多路并联MOS管，还包括在每个兼容封装MOS管的功率源极S1和信号源极S2最少串联一个源极电阻到驱动地电平。采用本实用新型电路，通过增加所述的源极电阻，能够有效抑制MOS管并联时驱动回路中的环流，减小MOS管的损耗，提高MOS管驱动的可靠性。

主权项

1.一种多路并联MOS管的驱动电路，包括推挽电路、多路栅极电阻和多路并联MOS管，单个所述MOS管在PCB板上的管脚封装为TO247与TO247‑4兼容封装，所述兼容封装共有栅极G1、栅极G2、漏极D、功率源极S1和信号源极S2等五个管脚，其中栅极G1、漏极D、功率源极S1的管脚封装与TO247管脚封装兼容，栅极G2、漏极D、功率源极S1、信号源极S2的管脚封装与TO247‑4管脚封装兼容，单个所述MOS管的栅极G1与栅极G2相连；所述推挽电路由NPN型三极管和PNP型三极管组成，所述NPN型三极管的基极与所述PNP型三极管的基极连接到所述推挽电路输入端，所述推挽电路输入端连接驱动PWM信号，所述NPN型三极管的集电极连接所述推挽电路的电源，所述PNP型三极管的集电极连接所述推挽电路地电平，所述NPN型三极管的发射极与所述PNP型三极管的发射极连接到所述推挽电路输出端，所述推挽电路输出端连接所述多路栅极电阻的一端，所述多路栅极电阻的另一端分别连接到单个所述MOS管的栅极G1，其特征在于：单个所述MOS管的功率源极S1与信号源极S2最少串联一个源极电阻到所述推挽电路地电平，以抑制多路兼容管脚封装的MOS管并联时在驱动回路上产生的功率环流。