[实用新型]一种基于氮化硅的激光器有效
| 申请号： | 201920261337.6 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN209472201U | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 吴兴宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市硅光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙) 44357 | 代理人： | 杨静 |
| 地址： | 518040 广东省深圳市福田区沙头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种基于氮化硅的激光器，包括：沿着光路方向上依次设置的泵浦源、反射镜面、增益介质、用于产生激光的生成器及与所述的生成器相连接的控制器，所述的反射镜面用于将来自泵浦源的激光进行反射，所述的增益介质用于将反射过来的激光进行放大，所述的生成器为氮化硅器件。本实用新型的一种基于氮化硅的激光器,运用氮化硅芯片，可以极大的简化激光的系统复杂程度并且降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅 激光器 生成器 激光 本实用新型 反射镜面 增益介质 泵浦源 反射 依次设置 控制器 光路 放大 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化硅的激光器，包括：沿着光路方向上依次设置的泵浦源、反射镜面、增益介质、用于产生激光的生成器及与所述的生成器相连接的控制器，所述的反射镜面用于将来自泵浦源的激光进行反射，所述的增益介质用于将反射过来的激光进行放大，其特征在于，所述的生成器为氮化硅器件。
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